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| 大尺寸TFT-LCD ECCP刻蚀工艺低耗整合 | |
| 引用本文： | 张定涛,李文彬,姚立红,郑云友,李伟,袁明.大尺寸TFT-LCD ECCP刻蚀工艺低耗整合[J].液晶与显示,2014,29(1):7-14. |
| 作者姓名： | 张定涛 李文彬 姚立红 郑云友 李伟 袁明 |
| 作者单位： | 张定涛:北京林业大学，北京100083北京京东方显示技术有限公司，北京100176 李文彬:北京林业大学，北京100083 姚立红:北京林业大学，北京100083 郑云友:北京京东方显示技术有限公司，北京100176 李伟:北京京东方显示技术有限公司，北京100176 袁明:北京京东方显示技术有限公司，北京100176 |
| 摘 要： | 为简化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗,在2 200mm×2 500mm大尺寸玻璃上,采用正交实验设计,验证了功率、气压、反应气体和比例等参数对各刻蚀步骤刻蚀速率、均一性和选择比的影响关系,从而得到各膜层的最佳工艺条件。在Enhance Cathode Couple Plasma Mode(ECCP)刻蚀模式下,采用新刻蚀条件合并薄膜晶体管有源区非晶硅、光刻胶、湿刻后源极和漏极剩余金属钼以及沟道非晶硅层干法刻蚀。利用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜电学特性进行测试,结果显示,金属钼的刻蚀可以采用一次两步干法刻蚀,"2干2湿"刻蚀可以整合为"1干1湿"。整合后总刻蚀工艺时间减少16s,减少了氯气使用量和RF总功率。试验改进了均一性和刻蚀率,同时对于下底衬具有良好的选择比,保持了良好的形貌,为大批量"1干1湿"生产提供了依据。 |
| 关 键 词： | 低耗 钼刻蚀 阴极耦合离子 试验设计 |
| 收稿时间： | 2013/7/26 |
Low consumption combination of large-sized TFT-LCD ECCP etch process |
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| Abstract: | |
| Keywords: | low-consumable molybdenum-etch enhance cathode couple plasma design experiment |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |