| 矩形平面磁控溅射装置薄膜沉积仿真 |
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| 引用本文： | 邱清泉,励庆孚,苏静静,Jiao Yu,Finely Jim.矩形平面磁控溅射装置薄膜沉积仿真[J].真空科学与技术学报,2008,28(3):218-224. |
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| 作者姓名： | 邱清泉 励庆孚 苏静静 Jiao Yu Finely Jim |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学电气工程学院,西安,710049
2. PPG Glass R&D Center,Pittsburgh,Pennsylvania,15238,USA |
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| 摘 要： | 薄膜厚度沿矩形靶长度方向分布的均匀度是衡量矩形平面磁控溅射装置镀膜质量的重要指标。为了分析气压和靶基板间距对该指标的影响，本文采用Monte Carlo方法，在假设靶材沿跑道均匀刻蚀的前提下，对靶材原子沉积过程进行了计算机仿真。模型假设靶材原子出射能量满足Thompson分布，出射角度以余弦定律处理；假设背景气体速度为麦克斯韦分布，并采用舍选法对各个速度分量进行了抽样；应用可变硬球模型对碰撞过程进行了处理。通过仿真发现，随着气压增大，尽管薄膜的均匀度越好，但是靶材原子到达基板的能量会降低；而靶与基板间距越大，薄膜的均匀度和靶材原子到达基板的能量都会降低。另外，通过对矩形靶端部磁场改进，可以削弱靶材的反常刻蚀现象，在提高靶材利用率的同时，可以有效提高薄膜均匀度。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 刻蚀 沉积 仿真 矩形 平面磁控溅射 装置 薄膜 沉积仿真 Planar Rectangular Magnetron Sputtering Coating 利用率 现象 反常 改进 端部磁场 基板 发现 碰撞过程 硬球模型 应用 抽样 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)03-218-07 |
| 修稿时间： | 2007年8月6日 |
Simulation of Coating by Magnetron Sputtering of Rectangular Planar Targets |
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| Qiu Qingquan,Li Qingfu,Su Jingjing,Jiao Yu,Finely Jim.Simulation of Coating by Magnetron Sputtering of Rectangular Planar Targets[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(3):218-224. |
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| Authors: | Qiu Qingquan Li Qingfu Su Jingjing Jiao Yu Finely Jim |
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