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| 材料制备工艺 | |
| 摘 要： | Y2000-62068-3 0005790晶体生长(收录论文7篇)=Ⅰ:crystal growth[会,英]//1998 IEEE Semiconducting and Insulating Materi-als Conference.—3～36(UC)收入本部分的论文题目有:GaN 晶体的高压溶液生长及其物理特性,利用高温汽相外延生长 GaN 和AlGaN 的方法,半绝缘砷化镓圆片的高分辨率 EL2和 |
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