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| 磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质 | |
| 作者姓名： | 柴春林 杨少延 刘志凯 陈诺夫 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室，北京 100083 |
| 摘 要： | 利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究. 通过实验发现，溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响. 在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱，结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷. |
| 关 键 词： | 磁控溅射；CeO2薄膜；发光 |
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