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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质
作者姓名:
柴春林
杨少延
刘志凯
陈诺夫
作者单位:
中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室,北京 100083
摘 要:
利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究. 通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响. 在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.
关 键 词:
磁控溅射;CeO2薄膜;发光
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