| Sol-gel法制备Si基Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜 |
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| 引用本文： | 刘长永,郭冬云,王传彬,沈强,张联盟. Sol-gel法制备Si基Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜[J]. 材料导报, 2011, 0(Z1) |
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| 作者姓名： | 刘长永 郭冬云 王传彬 沈强 张联盟 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室;武汉理工大学材料科学与工程学院; |
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| 基金项目： | 中国科学技术部国际科技合作项目(2009DFB50470); 国家自然科学基金青年科学基金(50902108); 武汉理工大学自主创新研究基金(2010-ZY-CL-14) |
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| 摘 要： | 采用Sol-gel法分别在Si(100)和Si(111)衬底上制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)(BNT)铁电薄膜。研究了衬底、退火温度、退火保温时间和薄膜厚度等因素对BNT铁电薄膜结晶和微观结构的影响。在500℃退火的BNT薄膜已经结晶形成层状钙钛矿相;升高退火温度(500～800℃)、延长保温时间(30～150min)、增加薄膜厚度(170～850nm),都有利于BNT薄膜晶粒长大,其中退火温度和薄膜厚度是影响晶粒长大的关键因素;每次涂覆的厚度大约是85nm。与Si(100)衬底相比,由于Si(111)与BNT薄膜具有更好的晶格匹配,因此BNT薄膜在Si(111)衬底上更容易结晶。
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| 关 键 词： | Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜 sol-gel法 微观结构 晶粒尺寸 |
Preparation of Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) Ferroelectric Thin Films on Si Substrates by Sol-gel Method |
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| LIU Changyong,GUO Dongyun,WANG Chuanbin,SHEN Qiang,ZHANG Lianmeng. Preparation of Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) Ferroelectric Thin Films on Si Substrates by Sol-gel Method[J]. Materials Review, 2011, 0(Z1) |
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| Authors: | LIU Changyong GUO Dongyun WANG Chuanbin SHEN Qiang ZHANG Lianmeng |
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| Affiliation: | LIU Changyong,GUO Dongyun,WANG Chuanbin,SHEN Qiang,ZHANG Lianmeng (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,School of Materials Science and Engineering,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bi_(3.15) Nd_(0.85) Ti_3 O_(12) thin films sol-gel method microstructure grain size |
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