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| 入射角度对Ar~+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟 | |
| 引用本文： | 孙伟中,张浚源,赵成利,陈峰,苟富均. 入射角度对Ar~+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟[J]. 材料导报, 2011, 25(16) |
| 作者姓名： | 孙伟中 张浚源 赵成利 陈峰 苟富均 |
| 作者单位： | 1. 四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064 2. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025 3. 四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064;荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰2300 |
| 基金项目： | 国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(2009GB104006); 贵州省优秀青年科技人才培养计划(700968101) |
| 摘 要： | 采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增大,Si原子和C原子的溅射量先增加后减小。相同入射角度下,Si原子的溅射阈值比C原子的小,Si原子的溅射量大于C原子的溅射量。初始样品在Ar+以不同角度轰击2000次后的形貌各异。产物中主要以Si原子和C原子为主,有少量的Si类和C类产物。入射角度对产物Si原子的角度分布几乎没有影响,而对产物C原子的角度分布有较小的影响。 |
| 关 键 词： | 分子动力学 SiC 溅射 角度分布 |
Molecular Dynamics Simulation of the Effects of Angle on Ar~+ Interactions with SiC Surface |
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| SUN Weizhong,ZHANG Junyuan,ZHAO Chengli,CHEN Feng,GOU Fujun. Molecular Dynamics Simulation of the Effects of Angle on Ar~+ Interactions with SiC Surface[J]. Materials Review, 2011, 25(16) | |
| Authors: | SUN Weizhong ZHANG Junyuan ZHAO Chengli CHEN Feng GOU Fujun |
| Affiliation: | SUN Weizhong1,ZHANG Junyuan1,ZHAO Chengli2,CHEN Feng2,GOU Fujun1,3(1 Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education,Institute of Nuclear Science and Technology,Sichuan University,Chengdu 610064,2 Institute of Plasma Surface Interactions,Guizhou University,Guiyang 550025,3 FOM Institute for Plasma Physics,3439 MN Nieuwegein,Netherlands 2300) |
| Abstract: | |
| Keywords: | molecular dynamics SiC sputtering angle distribution |
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