亚微米MOSFET热载流子蜕变的二维计算机模拟和分析 |
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作者姓名: | 张锡盛 何新平 李志坚 |
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作者单位: | 清华大学微电子所,北京100084 |
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摘 要: | 本文建立了包括热载流子发射和界面电荷生成的热载流子蜕变模型,考虑了界面电荷对发射的反馈影响。以PISCES程序为基础,建立了模拟热载流子蜕变的二维程序。模拟并分析了0.75μm MOSFET在不同偏压下的蜕变,模拟结果和实验符合得相当好。
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关 键 词: | 场效应晶体管 载流子 计算机模拟 |
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