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横模可控的具有缓冲层和平凸波导(BL-PCW)结构的1.5μm范围的InGaAsP/InP激光器
引用本文:Kazuo Sakai,刘春良.横模可控的具有缓冲层和平凸波导(BL-PCW)结构的1.5μm范围的InGaAsP/InP激光器[J].微纳电子技术,1983(2).
作者姓名:Kazuo Sakai  刘春良
摘    要:解析地研究了一种改进的平凸波导结构并成功地应用于1.5~1.6μm波长范围的InGaAsP/InP激光器以实现稳定的横模工作。这些激光器的结构特点是有源层与上包层之间有一标准缓冲层,而有源层与衬底之间具有一厚度不同的波导层。这种结构的理论分析表明:在一定沟道深度下,增加缓冲层的厚度会使基横模工作所允许的衬底沟道最大宽度变得更大。分析结果还证明当缓冲层厚度从0.1μm增至0.3μm时,有源层中的光学限制因子会有所减小。用液相外延制作了具有缓冲层和平凸波导的1.5μm激光器。这些激光器直到I=2I_(th)还是基横模工作。直流阈值电流为100~300mA单面微分量子效率为10~15%。25℃下,实现了2000小时的长时间连续波工作。

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