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原子层沉积技术及应用发展概况
引用本文:刘雄英,黄光周,范艺,于继荣. 原子层沉积技术及应用发展概况[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(Z1): 146-153
作者姓名:刘雄英  黄光周  范艺  于继荣
作者单位:华南理工大学电子与信息学院,广州,510640
摘    要:首先回顾了原子层沉积(ALD)发展历史,介绍了ALD的基本工艺和ALD薄膜具有的优良特性,并与传统的薄膜制备工艺进行了对比研究.重点阐述了ALD在微电子技术、微电子机械系统以及光学工程中的几个应用研究现状.分析了ALD目前存在的问题,并对ALD未来的发展进行了展望.

关 键 词:原子层沉积  自限制  化学气相沉积  物理气相沉积
文章编号:1672-7126(2006)增-0146-08
修稿时间:2005-09-01

Development in Atomic Layer Deposition and Its Applications
Liu Xiongying,Huang Guangzhou,Fan Yi,Yu Jirong. Development in Atomic Layer Deposition and Its Applications[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2006, 26(Z1): 146-153
Authors:Liu Xiongying  Huang Guangzhou  Fan Yi  Yu Jirong
Abstract:
Keywords:
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