首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

单晶硅微薄膜V形缺口疲劳特性研究
引用本文:周健伟,尚德广,刘小冬,柳会.单晶硅微薄膜V形缺口疲劳特性研究[J].机械强度,2010,32(5).
作者姓名:周健伟  尚德广  刘小冬  柳会
作者单位:北京工业大学,机械工程与应用电子技术学院,北京,100124
基金项目:国家自然科学基金,国家自然科学基金国际合作交流项目,北京市自然科学基金,北京市拔尖创新人才资助项目、北京市教委科技计划重点项目 
摘    要:采用微疲劳试验机与光学显微镜搭建一套微观疲劳试验系统。在室温条件下,通过控制载荷对单侧V形缺口的单晶硅微薄膜进行脉动拉伸疲劳试验,研究其疲劳特性。首先将单晶硅微薄膜V形缺口试样疲劳试验数据与单晶硅微薄膜光滑试样疲劳试验数据进行对比,分析发现V形缺口的引入会使单晶硅试样的疲劳强度及其抵抗弯矩的能力显著降低。试验结果表明,缺口试样发生破坏的应力幅度界限分明,与光滑试样相比,其破坏特性更趋近于宏观脆性断裂。通过扫描电镜分别对单晶硅微薄膜光滑试样与V形缺口试样进行断口分析,发现单晶硅微薄膜在循环应力作用下出现脆性疲劳破坏行为,其断口形貌特征与晶体结构密切相关。

关 键 词:微机电系统  单晶硅  薄膜  疲劳  断口分析  片外测试

STUDY ON FATIGUE BEHAVIOR OF MICRO-SINGLE CRYSTAL SILICON THIN FILM WITH V SHAPE NOTCH
ZHOU JianWei,SHANG DeGuang,LIU XiaoDong,LIU Hui.STUDY ON FATIGUE BEHAVIOR OF MICRO-SINGLE CRYSTAL SILICON THIN FILM WITH V SHAPE NOTCH[J].Journal of Mechanical Strength,2010,32(5).
Authors:ZHOU JianWei  SHANG DeGuang  LIU XiaoDong  LIU Hui
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号