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| 直拉单晶硅配料工艺探讨 | |
| 引用本文： | 谢于柳,朱立豪,李卫宁. 直拉单晶硅配料工艺探讨[J]. 太阳能, 2010, 0(5): 34-35,42 |
| 作者姓名： | 谢于柳 朱立豪 李卫宁 |
| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第四十八研究所 2. 江苏聚能硅业有限公司 3. 江苏腾大光电有限公司 |
| 摘 要： | <正>一引言单晶硅的主要参数有型号、电阻率、少子寿命、位错密度、晶向、碳氧含量等。它们对单晶硅棒的品质有决定性的作用,并且影响着单晶硅后续工艺电池片的处理工艺。电阻率是其中最为复杂的一个参数,它跟工艺有着密切关系。本文主要探讨单晶硅电阻率这一参数。由于相同的原料经过不同的配比,可以得到多种不同的配料方案,因此对于单晶硅不仅要配比出合格的电阻率,还需要考虑单晶成 |
| 关 键 词： | 直拉单晶硅 工艺探讨 配料 电阻率 少子寿命 位错密度 后续工艺 氧含量 |
Discussion on Czochralski silicon ingredient technology |
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