| Si基富Ge含量Si1-x-yGexCy异质结构的热退火行为研究 |
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| 引用本文： | 程雪梅. Si基富Ge含量Si1-x-yGexCy异质结构的热退火行为研究[J]. 高技术通讯, 2000, 10(10): 32-35 |
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| 作者姓名： | 程雪梅 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系!南京210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!( 696360 4 0 )，高等学校博士学科点专项科研基金，国家攀登计划资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了Si基富Ge含量的Si1-x-yGexCy异质结构的热退火地为，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法在Si(100）衬底上淀积一层厚度为170nm的Si1-x-yGexCy薄膜（x-0.7,y-0.15)，并在其上覆盖－Ge层，将样品分别在650度和800度下进行N2氛围下热退火20min。用拉曼谱（Raman)，俄歇电子能谱（AES）以及X射线光电子能谱XPS等方法对样品进行研究。研究结果表明，低温PECVD法生长的Si1-x-yGexCy薄膜是一种亚稳结构，Ge/Si1-x-yGexCy/Si异质结构在650度下呈现不稳定性，薄膜中的Ge,C相对含量下降，且在界面处出现Ge,C原子的堆积，经过800度下退火20min的样品中C 含量基本为0，Ge相对含量下降至约20％左右，且薄膜的组分比较均匀。
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| 关 键 词： | 热退火 GE／SI1－X－YGEXCY／SI异质结构 PECVD 硅基 三元体系合金 |
Studies on Thermal Annealing Behavior of Si_(1-x-y)Ge_xC_y Heterostructure with Rich Ge and High C Content on Si(100) Substrate |
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| Cheng Xuemei,Zheng Youdou,Han Ping,Liu Xiabing,Zhu Shunming,Luo Zhiyun,Jiang Ruolian. Studies on Thermal Annealing Behavior of Si_(1-x-y)Ge_xC_y Heterostructure with Rich Ge and High C Content on Si(100) Substrate[J]. High Technology Letters, 2000, 10(10): 32-35 |
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| Authors: | Cheng Xuemei Zheng Youdou Han Ping Liu Xiabing Zhu Shunming Luo Zhiyun Jiang Ruolian |
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| Keywords: | Thermal annealing Ge/Si 1 x y Ge xC y heterostructure PECVD |
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