| MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统晶格失配的研究 |
| |
| 引用本文： | 王玉田,李成基,任庆余. MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统晶格失配的研究[J]. 半导体学报, 1989, 10(8): 637-640 |
| |
| 作者姓名： | 王玉田 李成基 任庆余 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京(王玉田，李成基)，中国科学院半导体研究所 北京(任庆余) |
| |
| 摘 要： | 本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚度t_(?)～2μm的情况下,获得范性应变临界组份x_c=0.114.当xx_c时,外延层出现范性形变.
|
| 关 键 词： | 晶格失配 双晶衍射 弹性形变 范性形变 |
Investigation on Lattice Mismatch of MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001) System |
| |
| Wang Yutian/Institute of semicoductors,Academia Sinica,BeijingLi Chengji/Institute of semicoductors,Academia Sinica,BeijingRen Qingyu/Institute of semicoductors,Academia Sinica,Beijing. Investigation on Lattice Mismatch of MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001) System[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1989, 10(8): 637-640 |
| |
| Authors: | Wang Yutian/Institute of semicoductors Academia Sinica BeijingLi Chengji/Institute of semicoductors Academia Sinica BeijingRen Qingyu/Institute of semicoductors Academia Sinica Beijing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Lattice mismatch Double-crystal diffraction Elastic strain Plastic strain |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
