| Au/Si基片上沉积Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 |
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| 引用本文： | 齐增亮,蒋书文,李言荣.Au/Si基片上沉积Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7[J].微纳电子技术,2008,45(5):268-270. |
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| 作者姓名： | 齐增亮 蒋书文 李言荣 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜.在基片温度200℃、本底真空1×10-3 Pa条件下,BZN靶溅射0.5 h,作为自缓冲层;然后在400℃下溅射1.5 h,薄膜总厚度为200 nm,650℃原位真空退火1 h.XRD分析显示该薄膜为<222>单一取向,结晶良好;AFM扫描显示表面平整;测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变.实验证明,选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高,实验得到介电常数可调率约20%、损耗为0.002-0.004.
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| 关 键 词： | 铌酸锌铋(BZN)薄膜 射频磁控溅射 介电性能 可调率 损耗 沉积 Thin Films Dielectric Properties Study 损耗 介电常数 实验 器件性能 电极材料 电阻率 验证 同频率 测试 表面 扫描 取向 显示 分析 真空退火 总厚度 |
| 文章编号： | 1671-4776(2008)05-0268-03 |
| 修稿时间： | 2007年1月2日 |
Study on Dielectric Properties of Thin Films on Au/Si Substrate |
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| Qi Zengliang,Jiang Shuwen,Li Yanrong.Study on Dielectric Properties of Thin Films on Au/Si Substrate[J].Micronanoelectronic Technology,2008,45(5):268-270. |
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| Authors: | Qi Zengliang Jiang Shuwen Li Yanrong |
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