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| 多离子束反应溅射室温沉积PbTiO3薄膜的结晶性能 | |
| 引用本文： | 朱建国,袁文斌.多离子束反应溅射室温沉积PbTiO3薄膜的结晶性能[J].电子显微学报,1997,16(4):437-440. |
| 作者姓名： | 朱建国 袁文斌 |
| 作者单位： | 四川大学材料科学系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,中国工程物理研究院基金 |
| 摘 要： | 为了将铁电薄腊民半导体器件集成，发展了铁电薄膜制备技术。快速退火（ＲＴＰ）由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器件瘘容性质，因而倍受人们的关注。用多了子束反应共溅射装置在室温下制备了ＰｂＴｉＯ３薄膜，样品经ＲＴＰ装置作退火处理，发现ＰｂＴｉＯ３薄膜可以在多晶或非晶层上生长，经ＲＴＰ处理的ＰｂＴＩＯ３薄膜呈现「１１０」和「１００」择优取向。 |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 半导体 溅射法 结晶 |
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