| 一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计 |
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| 引用本文： | 张超,罗萍,杨永豪. 一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计[J]. 电子科技, 2006, 0(5): 31-33 |
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| 作者姓名： | 张超 罗萍 杨永豪 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,四川,成都,610054;电子科技大学IC设计中心,四川,成都,610054;电子科技大学IC设计中心,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OP AMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流.该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关.
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| 关 键 词： | 自偏置电流 带隙基准电压 PTAT基准电流 运算放大器 温度系数 |
| 收稿时间： | 2005-09-23 |
| 修稿时间： | 2005-09-23 |
Analysis and Design of a Self-bias Current CMOS Reference |
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| Zhang Chao,Luo Ping,Yang Yonghao. Analysis and Design of a Self-bias Current CMOS Reference[J]. Electronic Science and Technology, 2006, 0(5): 31-33 |
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| Authors: | Zhang Chao Luo Ping Yang Yonghao |
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| Affiliation: | IC Design Center, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Self-biased-current bandgap reference PTAT current operational amplifier temperature coefficient |
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