| 快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响 |
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| 引用本文： | 陈玉武,郝秋艳,刘彩池,赵建国,吴丹,王勇. 快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响[J]. 太阳能学报, 2009, 30(5) |
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| 作者姓名： | 陈玉武 郝秋艳 刘彩池 赵建国 吴丹 王勇 |
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| 作者单位： | 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 |
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| 摘 要： | 利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响.研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致.原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RIP后,其少子寿命值得到明显改善.低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大.高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降.实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响.
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| 关 键 词： | 铸造多晶硅 少子寿命 杂质 缺陷 |
EFFECT OF TEANSITION-METAL CONTAMINATION ON MINORITY lIFETIME IN CAST MULTI-CRYSTALLINE SILICON UNDER RAPID THERMAL PROCESSING |
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| Chen Yuwu,Hao Qiuyan,Liu Caichi,Zhao Jianguo,Wu Dan,Wang Yong. EFFECT OF TEANSITION-METAL CONTAMINATION ON MINORITY lIFETIME IN CAST MULTI-CRYSTALLINE SILICON UNDER RAPID THERMAL PROCESSING[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2009, 30(5) |
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| Authors: | Chen Yuwu Hao Qiuyan Liu Caichi Zhao Jianguo Wu Dan Wang Yong |
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| Keywords: | RTP |
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