| 蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长 |
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| 引用本文： | 孙澜,陈平,韩平,郑有炓,史君,朱嘉,朱顺明,顾书林,张荣. 蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长[J]. 功能材料, 2004, 35(2): 192-194 |
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| 作者姓名： | 孙澜 陈平 韩平 郑有炓 史君 朱嘉 朱顺明 顾书林 张荣 |
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| 作者单位： | 南京大学,物理系,江苏,南京,210093;南京大学,物理系,江苏,南京,210093;南京大学,物理系,江苏,南京,210093;南京大学,物理系,江苏,南京,210093;南京大学,物理系,江苏,南京,210093;南京大学,物理系,江苏,南京,210093;南京大学,物理系,江苏,南京,210093;南京大学,物理系,江苏,南京,210093;南京大学,物理系,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项资助项目(G20000683)，国家自然科学基金资助项目(60136020) |
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| 摘 要： | 采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜。其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定。俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H-SiC薄膜中的Si-C键的结合能为181．4eV，Si与C的原子比符合SiC的化学配比。扫描电子显微镜的分析显示6H-SiC外延层和蓝宝石衬底间的界面相当平整。由紫外及可见光波段吸收谱的结果得到所生长的6H-SiC的禁带宽度为2．83eV、折射系数在2．5～2．7之间。均与6H-SiC体材料的相应数据一致。
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| 关 键 词： | 化学气相淀积 6H-SiC 蓝宝石 低温生长 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)02-0192-03 |
| 修稿时间： | 2003-04-07 |
Single-crystalline 6H-SiC heteroepitaxial growth by chemical vapor deposition on sapphire substrates at reduced temperatures |
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| SUN Lan,CHEN Ping,HAN Ping,ZHENG You-dou,SHI Jun,ZHU Jia,ZHU Shun-ming,GU Shu-lin,ZHANG Rong. Single-crystalline 6H-SiC heteroepitaxial growth by chemical vapor deposition on sapphire substrates at reduced temperatures[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(2): 192-194 |
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| Authors: | SUN Lan CHEN Ping HAN Ping ZHENG You-dou SHI Jun ZHU Jia ZHU Shun-ming GU Shu-lin ZHANG Rong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LPCVD 6H-SiC sapphire low-temperature growth |
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