| 注F栅介持抗电离辐射损伤机理 |
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| 引用本文： | 张国强,余学锋.注F栅介持抗电离辐射损伤机理[J].固体电子学研究与进展,2000,20(3):302-308. |
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| 作者姓名： | 张国强 余学锋 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所 |
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| 摘 要： | 对含Ｆ ＭＯＳ结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明：Ｆ减少工艺过程引入栅介持的Ｅ ’中心缺陷和补偿Ｓｉ／ＳｉＯ２悬挂键的作用，将导致实始氧化物电荷和界面态密度的下降；栅ＳｉＯ２中的Ｆ主要以Ｆ离子和Ｓｉ－Ｆ结键的方式存在；含Ｆ栅介质中部分Ｓｉ－Ｆ键替换Ｓｉ－Ｏ应力键而使Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力得到释放，以及用较高键能的Ｓｉ－Ｆ键替换Ｓｉ－Ｈ弱键的有益作用是栅介质辐射敏感降低的根本原因；
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| 关 键 词： | 含氟介质 电离辐射 氧化物电荷 界面态 损伤机理 |
| 文章编号： | 1000-3819(2000)03-0302-07 |
| 修稿时间： | 1999-01-12 |
Mechanism of Ionizing Radiation Hardness in Fluorinated MOS Oxides |
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| Zhang,Guoqiang,Yu,Xuefeng,Lu,Wu,Fan,Long,Guo,Qi,Ren,Diyuan,Yan,Rongliang.Mechanism of Ionizing Radiation Hardness in Fluorinated MOS Oxides[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2000,20(3):302-308. |
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| Authors: | Zhang Guoqiang Yu Xuefeng Lu Wu Fan Long Guo Qi Ren Diyuan Yan Rongliang |
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| Affiliation: | Zhang Guoqiang
,Yu Xuefeng
,Lu Wu
,Fan Long
,Guo Qi
,Ren Diyuan
(Xinfiang Institute of Physics, the Chinese Academy of Sciences, Urumqi, 830011 ,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fluorine ionizing radiation oxide charge interface state mechanism of damage |
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