| 基于PZT压电薄膜的压力传感器工艺研究 |
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| 引用本文： | 刘园园,谭晓兰. 基于PZT压电薄膜的压力传感器工艺研究[J]. 压电与声光, 2017, 39(6): 945-949 |
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| 作者姓名： | 刘园园 谭晓兰 |
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| 作者单位： | 北方工业大学 机械与材料工程学院，北京 100144 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（51375017） |
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| 摘 要： | 选用敏感材料锆钛酸铅(PZT),优化微机电系统(MEMS)微加工工艺,制作了硅基PZT压电薄膜叉指式电极结构的MEMS压力传感器。在基体Au/Ti/LNO/SiO_2/Si<100>上,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在650℃高温下采用分层退火的方式进行退火,得到厚1.2μm的PZT压电薄膜。薄膜表面均匀,无裂纹。利用光刻工艺和低压溅射工艺得到平行叉指电极。制作完成PZT压电薄膜结构的微压力传感器,在弹性薄膜上施加压力,其电压输出性能较好,说明基于压电薄膜的叉指电极结构可行,为基于纳米纤维结构的微压力传感器的制作奠定了理论基础。
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| 关 键 词： | 敏感材料 PZT压电薄膜 MEMS压力传感器 溶胶-凝胶(Sol-Gel) 叉指电极 |
Study on the Process of Pressure Sensor Based on PZT Piezoelectric Thin Films |
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| LIU Yuanyuan,TAN Xiaolan. Study on the Process of Pressure Sensor Based on PZT Piezoelectric Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2017, 39(6): 945-949 |
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| Authors: | LIU Yuanyuan TAN Xiaolan |
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| Affiliation: | College of Mechanical and Materials Engineering,North China University of Technology,Beijing 100144,China |
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| Keywords: | sensitive material PZT piezoelectric thin film MEMS pressure sensor Sol-Gel interdigital electrode |
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