| 改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性 |
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| 引用本文： | 刘忠立,李宁,高见头,于芳. 改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性[J]. 半导体学报, 2005, 26(7): 1406-1411 |
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| 作者姓名： | 刘忠立 李宁 高见头 于芳 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性，并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路．测量了单管的迁移率，并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验，发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路，不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性，而且具有很好的抗瞬态辐射能力，并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平．
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| 关 键 词： | 固相外延 改性 SOS薄硅膜 CMOS器件 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）07-1406-06 |
| 收稿时间： | 2004-11-18 |
| 修稿时间： | 2005-01-10 |
Irradiation Hardened Performance of CMOS Devices with Modified Thin SOS Film |
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| Liu Zhongli,Li Ning,Gao Jiantou,Yu Fang. Irradiation Hardened Performance of CMOS Devices with Modified Thin SOS Film[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(7): 1406-1411 |
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| Authors: | Liu Zhongli Li Ning Gao Jiantou Yu Fang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solid phase epitaxy modification SOS thin silicon film CMOS devices |
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