| GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究 |
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| 引用本文： | 包军林, 庄奕琪, 杜磊, 马仲发, 李伟华, 万长兴,.GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究[J].电子器件,2005,28(3):497-499,504. |
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| 作者姓名： | 包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 李伟华 万长兴 |
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| 作者单位： | 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国防预研基金;国防重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 在宽范围偏置条件下，测量了GaAlAs红外发光二极管（IRLED）的低频噪声，发现1／f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比，在小电流区，r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1／f噪声模型，得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明．低电流区GaAlAs IRLED的1／f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落，高电流区的1／f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1／厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。
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| 关 键 词： | 1/f噪声 红外发光二极管 涨落 氧化层陷阱 |
| 文章编号： | 1005-9490（2005）03-0497-03 |
| 收稿时间： | 2005-01-24 |
| 修稿时间： | 2005-01-24 |
Study of 1/f Noise in GaAlAs IREDs |
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| BAO Jun-lin,ZHUANG Yi-qi,DU Lei,MA Zhong-f,LI Wei-hu,WAN Chang-xing.Study of 1/f Noise in GaAlAs IREDs[J].Journal of Electron Devices,2005,28(3):497-499,504. |
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| Authors: | BAO Jun-lin ZHUANG Yi-qi DU Lei MA Zhong-f LI Wei-hu WAN Chang-xing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 1/f noise IRED fluctuations oxide traps |
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