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| 近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺北大核心 | |
| 引用本文： | 王旺平马建一.近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺北大核心[J].光电子技术,2013(3):194-197. |
| 作者姓名： | 王旺平马建一 |
| 作者单位： | 1.中国电子科技集团公司第五十五研究所210016; |
| 摘 要： | 随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。 |
| 关 键 词： | 负电子亲和势光电阴极 转移电子光阴极 GaAs InGaAs InGaAsP |
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