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| 采用反相方法测试台架测定3．3kV IGCT的特性 | |
| 引用本文： | S.阿尔瓦雷斯 P.拉杜克斯 J.布拉奎尔 E.卡洛尔 P.斯特瑞特.采用反相方法测试台架测定3．3kV IGCT的特性[J].电力电子,2004,2(5):68-74. |
| 作者姓名： | S.阿尔瓦雷斯 P.拉杜克斯 J.布拉奎尔 E.卡洛尔 P.斯特瑞特 |
| 作者单位： | [1]电气工业INPT电工技术实验室，图卢兹31071，法国 [2]中央大学电工技术系，蒙德雷根20500，西班牙 [3]ABB公司半导体分部，楞次堡CH-5600，瑞士 |
| 摘 要： | 采用反相方法测试台架在实际工作条件下，对ABB公司提供的实验性3．3kV IGCT进行了特性测定.这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小，开关损耗也降低了.这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世，它们可以用于较高开天频率(超过1kHz)和大电流工况，以改善大功率变换器的性能. |
| 关 键 词： | 特性测试 集成门极换流晶闸管（IGCT） 反相方法测试台架 |
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