| 蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究 |
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| 引用本文： | 吴猛,曾一平,王军喜,胡强.蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究[J].半导体技术,2011,36(10):760-764. |
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| 作者姓名： | 吴猛 曾一平 王军喜 胡强 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心,北京100083;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心,北京100083;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京100083;中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN(LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN(n-GaN),发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响,并结合初始成核阶段进行了原因分析。制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品,分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响。同时发现,晶体质量较差的时候,光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响。
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| 关 键 词： | 氮化镓 蓝宝石图形衬底 选择性生长 发光二极管 缓冲层 |
Research on LT-GaN Buffer Layer on Patterned Sapphire Substrate |
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| Wu Meng,Zeng Yiping,Wang Junxi,Hu Qiang.Research on LT-GaN Buffer Layer on Patterned Sapphire Substrate[J].Semiconductor Technology,2011,36(10):760-764. |
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| Authors: | Wu Meng Zeng Yiping Wang Junxi Hu Qiang |
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| Affiliation: | Wu Menga,b,Zeng Yipinga,c,Wang Junxic,Hu Qiangc(a.Material Science Center,b.Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,c.Semiconductor Lighting Technology Research and Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) |
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| Abstract: | At low temperature,the low temperature GaN(LT-GaN)buffer layer was grown on patterned sapphire substrate(PSS)using metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD).The surface morphology of the LT-GaN was investigated.Selective nucleation phenomenon in the growth process of LT-GaN buffer layers is discovered.The n-type GaN was grown based on LT-GaN buffer layer with different thicknesses.Both too large or too small thickness would do harm to the crystal quality of the n-GaN,and the causes connected with the i... |
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| Keywords: | GaN patterned sapphire substrate(PSS) selective growth LED buffer layer |
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