| 表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理 |
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| 引用本文： | 王磊,王嘉星,汪莱,郝智彪,罗毅.表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理[J].半导体光电,2011,32(5):650-652,718. |
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| 作者姓名： | 王磊 王嘉星 汪莱 郝智彪 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室（筹）,北京100084;清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室（筹）,北京100084;清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室（筹）,北京100084;清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室（筹）,北京100084;清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室（筹）,北京100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51002085) |
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| 摘 要： | 研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,Ti/Al/Ti/Au电极的比接触电阻率有显著的降低。样品表面Ga3d与O1s的X射线光电子能谱(XPS)测试结果显示:氧元素含量明显降低,表明这三种溶液可以有效地去除AlGaN表面氧化层,其中CS3CSNH2效果最佳;Ga3d峰位在表面处理后发生蓝移现象,相当于AlGaN表面处的费米能级向导带一侧移动,使电子在隧穿过程中的有效势垒高度降低。以上两个因素均对优化AlGaN/GaN欧姆接触有十分重要的意义。
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN异质结 表面处理 欧姆接触 XPS能谱 |
Influence and Mechanism of Surface Treatment on Ohmic Contacts to AlGaN Surface |
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| WANG Lei,WANG Jiaxing,WANG Lai,HAO Zhibiao,LUO Yi.Influence and Mechanism of Surface Treatment on Ohmic Contacts to AlGaN Surface[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(5):650-652,718. |
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| Authors: | WANG Lei WANG Jiaxing WANG Lai HAO Zhibiao LUO Yi |
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| Affiliation: | WANG Lei,WANG Jiaxing,WANG Lai,HAO Zhibiao,LUO Yi(Tsinghua National Laboratory on Information Science and Technology,Department of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,CHN) |
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| Abstract: | Tthe influence of surface treatment on the ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructure is investigated by using different solutions.The specific contact resistivity dramatically decreases after the treatments.To investigate the mechanism of this improvement on ohmic contacts,the chemical properties of the AlGaN/GaN surface are characterized by monitoring the Ga 3d and O1s peaks using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) measurement.The decrease of the oxygen concentration indicates that the solutions can e... |
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| Keywords: | AlGaN/GaN heterostructure surface treatment ohmic contacts XPS spectra |
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