| 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展 |
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| 引用本文： | 杜彦东,韩伟华,颜伟,张严波,熊莹,张仁平,杨富华. 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展[J]. 半导体技术, 2011, 36(10): 771-777. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.008 |
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| 作者姓名： | 杜彦东 韩伟华 颜伟 张严波 熊莹 张仁平 杨富华 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934104) |
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| 摘 要： | 随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
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| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 增强型 阈值电压 氮化铝镓 |
Research Progress of Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs |
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| Du Yandong,Han Weihua,Yan Wei,Zhang Yanbo,Xiong Ying,Zhang Renping,Yang Fuhua. Research Progress of Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs[J]. Semiconductor Technology, 2011, 36(10): 771-777. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.008 |
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| Authors: | Du Yandong Han Weihua Yan Wei Zhang Yanbo Xiong Ying Zhang Renping Yang Fuhua |
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| Affiliation: | Du Yandong,Han Weihua,Yan Wei,Zhang Yanbo,Xiong Ying,Zhang Renping,Yang Fuhua(Engineering Research Center for Semiconductor Integrated Technology,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) |
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| Abstract: | With the development of high-voltage switches and high-speed RF circuits,the enhancement-mode(E-mode)AlGaN/GaN HEMTs become a research hotspot in those fields.The E-mode GaN-based HEMTs have channel current at the gate voltage higher than zero,greatly expanding the device in low power digital circuit applications.Recent years,research on the threshold voltage of the E-mode AlGaN/GaN HEMTs mainly focus on material growth and device structure process.The concentration of two-dimensional electron gas(2DEG)can ... |
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| Keywords: | GaN high electron mobility transisitor(HEMT) enhancernent-mode threshold voltage AlGaN |
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