| 物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化 |
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| 引用本文： | 武智平,潘淼,庞爱锁,李艳华,陈朝.物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化[J].半导体光电,2011(5):668-671. |
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| 作者姓名： | 武智平 潘淼 庞爱锁 李艳华 陈朝 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系;厦门大学能源研究院;厦门大学福建省半导体照明工程技术研究中心; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61076056); 福建省重大专项资助项目(2007HZ005-2) |
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| 摘 要： | 对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果,节省了太阳电池制备的时间和成本。
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| 关 键 词： | 物理冶金法 多晶硅 少子寿命 磷吸杂 |
Optimization of Phosphorus Gettering Technology on the Multicrystalline Silicon Wafer Purified by Physical Metallurgical Process |
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| WU Zhiping,PAN Miao,PANG Aisuo,LI Yanhua,CHEN Chao,.Optimization of Phosphorus Gettering Technology on the Multicrystalline Silicon Wafer Purified by Physical Metallurgical Process[J].Semiconductor Optoelectronics,2011(5):668-671. |
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| Authors: | WU Zhiping PAN Miao PANG Aisuo LI Yanhua CHEN Chao |
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| Affiliation: | WU Zhiping1,PAN Miao1,PANG Aisuo1,LI Yanhua1,CHEN Chao1,2,3(1.School of Physics,2.School of Energy Research,Xiamen University,Xiamen 361005,CHN,3.Fujian Province Semiconductor Illumination Center,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | physical metallurgy process multicrystalline silicon minority carrier lifetime P gettering |
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