《半导体国际》互连技术研讨会2008

主题步入深亚微米的互连技术半导体产业发展至今，大部分时间内Al互连技术都扮演了极为重要的角色，铝材料和SiO2一直作为制造集成电路中的微连线或配线：0.13微米以下的设计标准中，采用铝微连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题，铜互连工艺应运而生。基于双大马士革的Cu工艺，高／低K介质材料等已成为业界热门话题，进一步改善互连性能的需求，推动今后互连技术的发展。