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| CMOS输入电路抗ESD性能研究 | |
| 作者姓名： | 费新礴 朱正涌 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 对ＣＭＯＳ电路中的ＥＳＤ损伤进行了研究，建立了ＥＳＤ灵敏度分类的测试，并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ＥＳＤ灵敏度的影响，提出了一种ＮＰＮ防ＥＳＤ结构，得到了ＥＳＤ失效阈值电压达２０００Ｖ以上的抗ＥＳＤ结构。 |
| 关 键 词： | 集成电路 CMOS 输入电路 NPN结构 静电放电 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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