| 短沟道n-MOSFET亚阈值电流模拟计算分析 |
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| 引用本文： | 王洪涛,王茺,胡伟达,杨洲,熊飞,杨宇.短沟道n-MOSFET亚阈值电流模拟计算分析[J].功能材料与器件学报,2010,16(4). |
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| 作者姓名： | 王洪涛 王茺 胡伟达 杨洲 熊飞 杨宇 |
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| 作者单位： | 1. 云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所,昆明,650091
2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 云南省自然基金重点项目，国家自然基金 |
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| 摘 要： | 本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟。计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阈值电流的影响,并对模拟结果进行了系统的理论分析,数值模拟结果和解析模型能够在亚阈值区很好的吻合。
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| 关 键 词： | 短沟道n-MOSFET 亚阈值电流 解析模型 数值模拟 |
Simulation of subthreshold current for short - channel n - MOSFET |
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| WANG Hong-tao,WANG Chong,HU Wei-da,YANG Zhou,XIONG Fei,YANG Yu.Simulation of subthreshold current for short - channel n - MOSFET[J].Journal of Functional Materials and Devices,2010,16(4). |
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| Authors: | WANG Hong-tao WANG Chong HU Wei-da YANG Zhou XIONG Fei YANG Yu |
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