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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
金属氧化物气敏新材料的开发
作者姓名:
王玉青
孙宾
陆新城
牛秀粉
裘南畹
作者单位:
济南铁道职业技术学院;济南半导体研究所
摘 要:
提出了开发n型金属氧化物气敏材料的理论,指出了禁带宽度Eg2 eV的材料都有可能研制薄膜气敏元件,通过Fe2O3/2%CeO2,TiO2/2%CeO2薄膜元件试制成功,论证了理论的正确性;发展了复合材料的开发理论,对ZnSnO3的气敏特性进行了测试。
关 键 词:
金属氧化物
薄膜气敏元件
复合材料
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