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| 金属氧化物气敏新材料的开发 | |
| 作者姓名： | 王玉青 孙宾 陆新城 牛秀粉 裘南畹 |
| 作者单位： | 济南铁道职业技术学院;济南半导体研究所 |
| 摘 要： | 提出了开发n型金属氧化物气敏材料的理论,指出了禁带宽度Eg2 eV的材料都有可能研制薄膜气敏元件,通过Fe2O3/2%CeO2,TiO2/2%CeO2薄膜元件试制成功,论证了理论的正确性;发展了复合材料的开发理论,对ZnSnO3的气敏特性进行了测试。 |
| 关 键 词： | 金属氧化物 薄膜气敏元件 复合材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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