| 碳化硅功率器件技术发展综述 |
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| 引用本文： | 吴炜杰,张宇阳,王朝阳,黄湛为,张帮敏. 碳化硅功率器件技术发展综述[J]. 材料研究与应用, 2023, 17(3): 427-439 |
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| 作者姓名： | 吴炜杰 张宇阳 王朝阳 黄湛为 张帮敏 |
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| 作者单位： | 中山大学，广东 广州 510651 |
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| 摘 要： | 第三代半导体SiC因禁带宽、热导率高等优异性能得到广泛关注，SiC功率器件也成为学术界和工业界的研究热点。从SiC材料性质出发，归纳分析了SiC薄膜与SiC功率器件制备工艺，回顾了SiC MOSFET和IGBT器件的发展，讨论了SiC MOSFET和IGBT器件的结构设计优化和性能评估，最后指出SiC器件面临的挑战及发展趋势。
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| 关 键 词： | SiC薄膜 功率器件 制备工艺 MOSFET IGBT |
| 收稿时间： | 2023-04-25 |
A Review of Silicon Carbide Power Device Technology Development |
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| WU Weijie,ZHANG Yuyang,WANG Zhaoyang,HUANG Zhanwei,ZHANG Bangmin. A Review of Silicon Carbide Power Device Technology Development[J]. MATERIALS RESEARCH AND APPLICATION, 2023, 17(3): 427-439 |
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| Authors: | WU Weijie ZHANG Yuyang WANG Zhaoyang HUANG Zhanwei ZHANG Bangmin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC thin film power devices preparation process MOSFET IGBT |
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