|
|||||
|
|
| P^＋—GexSi1—x／p—Si异质结红外探测器性能的提高 | |
| 作者姓名： | 王瑞忠 罗广礼 |
| 作者单位： | [1]清华大学微电子学研究所 [2]中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 通过采用层叠结构、增加ＳｉＯ２介质腔和铝反射镜、背面蒸镀ＳｉＯ抗反射层等措施，使Ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器在７７Ｋ下的性能提高到在不加偏置电压的条件下响应范围２￣８μｍ，Ｄ（５．５，１０００，１）＾＊＝１．１×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２／Ｗ，量子效率可达４％。其Ｄｐ＾＊已达到实用的ＰｔＳｉ红外探测器的量级。另外，在器件的结构设计中，我们采用了一种改进的电极结构，以提 |
| 关 键 词： | 层叠结构 介质腔 异质结 红外探测器 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |