| 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究 |
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| 引用本文： | 张瑞,张璠,赵有文,董志远,杨俊.掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究[J].半导体学报,2008,29(10):1988-1991. |
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| 作者姓名： | 张瑞 张璠 赵有文 董志远 杨俊 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 NO.60736032 |
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| 摘 要： | 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶，生长温度为950℃. 与非掺ZnO单晶相比，掺Sb后ZnO单晶仍为n型，其自由电子浓度明显升高. X射线光电子能谱（XPS）测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位，或处于间隙位置，形成了施主. 利用光致发光谱（PL）测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光，该蓝色荧光与浅施主有关. 这些结果表明在高温生长条件下，掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷，因而难以获得p型材料.
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| 关 键 词： | ZnO 单晶 掺杂 缺陷 |
| 收稿时间： | 3/26/2008 4:05:13 PM |
| 修稿时间： | 4/24/2008 3:45:18 PM |
Defects and Properties of Antimony-Doped ZnO Single Crystal |
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| Zhang Rui,Zhang Fan,Zhao Youwen,Dong Zhiyuan and Yang Jun.Defects and Properties of Antimony-Doped ZnO Single Crystal[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(10):1988-1991. |
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| Authors: | Zhang Rui Zhang Fan Zhao Youwen Dong Zhiyuan and Yang Jun |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO single crystal doping defect |
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