防止由α射线引起的存储器误动作的方法探讨

当探讨由于α射线影响所发生的软误差时,把为了防止软误差的方法,放到以动态MOS RAM场合为中心进行处理。通过改进封装、对芯片表面涂敷保护膜、改进器件设计、以及修正错误等系统的补救方法,为防止α射线影响是将器件做成4根腿。充分考虑了α射线影响的64K RAM设计大致可陆续定型。