| 低功耗2.45GHz射频识别模拟前端 |
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| 引用本文： | 张宝军,高 原,张 博,贺 刚.低功耗2.45GHz射频识别模拟前端[J].西安邮电学院学报,2014(3):77-83. |
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| 作者姓名： | 张宝军 高 原 张 博 贺 刚 |
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| 作者单位： | 西安邮电大学电子工程学院,陕西西安710121 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金资助项目（61201044）;陕西省自然科学基金青年基金资助项目（2012JQ8020）;西安邮电大学青年教师科研基金资助项目（1010436） |
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| 摘 要： | 采用台湾积体电路制造股份有限公司的0.18μm互补金属氧化物半导体混合信号工艺,设计出一种应用于2.45GHz的射频识别模拟前端芯片,并对射频识别芯片前端电路的关键性模块进行分析和改进,提出一种运用负温度系数电阻构成的带隙基准电路和一种运用延时电路来消除脉冲干扰的复位电路。仿真结果表明,所设计的射频前端芯片能够满足ISO 18000-4协议所提出的系统要求并且整体电路功耗小于1.5μW。
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| 关 键 词： | 射频识别 低功耗 2.45GHz 射频前端 |
Ultra low power 2 .45 GHz RFID RF analog front-end |
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| ZHANG Baojun,GAO Yuan,ZHANG Bo,HE Gang.Ultra low power 2 .45 GHz RFID RF analog front-end[J].Journal of Xi'an Institute of Posts and Telecommunications,2014(3):77-83. |
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| Authors: | ZHANG Baojun GAO Yuan ZHANG Bo HE Gang |
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| Affiliation: | (School of Electronic Engineering, Xi＇an University of Posts and Telecommunications, Xi＇an 710121, China) |
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| Abstract: | A 2.45 GHz RFID RF Front-End Chip with the TSMC 0.18μm CMOS Mix-Signal process is proposed in this paper.The key module of the RFID RF Front-End Chip is analyzed.A negative temperature coefficient resistance of band-gap reference circuit and a method of time delay circuit to eliminate the pulse interference reset circuit are also presented.Simulation results show the 2.45 GHz RFID RF Front-End Chip can meet the requirement of the ISO 18000-4 standard well and the overall circuit power consumption is less than 1 .5μW. |
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| Keywords: | radio frequency identification （RFID） low power 2 45 GHz RF front-end |
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