| 用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM |
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| 引用本文： | 董素玲,成立,王振宇,高平.用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM[J].半导体技术,2003(6). |
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| 作者姓名： | 董素玲 成立 王振宇 高平 |
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| 作者单位： | 江苏大学电气与信息工程学院 江苏镇江212013
(董素玲，成立，王振宇)，江苏大学电气与信息工程学院 江苏镇江212013(高平) |
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| 基金项目： | 江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005) |
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| 摘 要： | 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。
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| 关 键 词： | 双极互补金属氧化物半导体器件 静态随机存取存储器 存储单元 输入/输出电路 地址译码器 |
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