| 多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计 |
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| 引用本文： | 李牧菊,杨柏梁. 多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计[J]. 半导体学报, 2002, 23(4): 414-418. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.04.016 |
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| 作者姓名： | 李牧菊 杨柏梁 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021 |
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| 基金项目： | 中国科学院计划财务局资助项目;KY951-A1-502; |
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| 摘 要： | 应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制,并给出轻掺杂结构参数(如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等)的优化设计,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据.
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| 关 键 词： | 薄膜晶体管 热电子发射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)04-0414-05 |
| 修稿时间： | 2001-06-12 |
Optimization Design and Characteristics of Lightly Doped Drain-Source (LDD) Thin Film Transistors (TFTs) |
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| Li Muju and Yang Bailiang. Optimization Design and Characteristics of Lightly Doped Drain-Source (LDD) Thin Film Transistors (TFTs)[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(4): 414-418. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.04.016 |
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| Authors: | Li Muju and Yang Bailiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film transistor therm al field em ission |
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