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| 半导体纳米结构的光学性质及其应用 | |
| 作者姓名： | 白光 |
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| 摘 要： | 1 SiGe/Si基纳米结构对含有Ge和SiGe纳米岛（量子点）的硅基纳米结构的兴趣日益增长，可用它们新近发现的光敏性质和光发射性质来解释，特别是固溶体SiGe是制造中红外(3~5.5 μm)和远红外(8~13μm)区探测器有前途的材料。改变SiGe的成分、厚度和掺杂程度，可以控制亚带内和亚带间红外吸收带的位置和强度（В. С. Аврутин,俄科院微电子学与超纯物质工艺问题研究所）。1992年以前形成这种结构的主要方法是最小尺寸受限制的光刻法。在Si-Ge异质系统块状体中自发形成的纳米岛的整合效应可得到极限尺寸(10~100 nm)的量子点，并导致… |
| 关 键 词： | 半导体 纳米结构 光学性质 应用 Si Ge／Si基 硅 激光器 光子晶体 |
| 收稿时间： | 2002-03-18 |
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