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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管
引用本文:柏松,吴鹏,陈刚,冯忠,李哲洋,林川,蒋幼泉,陈辰,邵凯. S波段280W SiC内匹配脉冲功率管[J]. 固体电子学研究与进展, 2008, 28(1)
作者姓名:柏松  吴鹏  陈刚  冯忠  李哲洋  林川  蒋幼泉  陈辰  邵凯
作者单位:单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.

关 键 词:内匹配  脉冲功率  工作电压  波段  功率特性  微波功率器件  

A Internally-matched 280 W SiC Pulsed Power Device for S-band Application
BAI Song,WU Peng,CHEN Gang,FENG Zhong,LI Zheyang,LIN Chuan,JIANG Youquan,CHEN Chen,SHAO Kai. A Internally-matched 280 W SiC Pulsed Power Device for S-band Application[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2008, 28(1)
Authors:BAI Song  WU Peng  CHEN Gang  FENG Zhong  LI Zheyang  LIN Chuan  JIANG Youquan  CHEN Chen  SHAO Kai
Affiliation:BAI Song WU Peng CHEN Gang FENG Zhong LI Zheyang LIN Chuan JIANG Youquan CHEN Chen SHAO Kai(National Key Laboratory of Monolithic bltegrated Circuits , Modules,Nanjing Electronic Devices Instiute,Nanjing,210016,CHN)
Abstract:
Keywords:
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