| 基于噪声抵消技术的CMOS宽带LNA设计 |
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| 引用本文： | 齐凯.基于噪声抵消技术的CMOS宽带LNA设计[J].微电子学,2012,42(5):622-626. |
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| 作者姓名： | 齐凯 |
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| 作者单位： | 空军工程大学理学院,西安,710051 |
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| 摘 要： | 设计了一种用于1～4GHz射频前端的全集成CMOS宽带低噪声放大器。利用电流复用技术,对典型并联共栅-共源噪声抵消结构进行改进,以缓和噪声、增益及功耗之间的矛盾。采用在输入端引入电容电感并与MOS管寄生电容构成П形网络的方式来改善输入匹配特性。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,LNA噪声系数小于3.24dB,输入反射系数S11小于-8.86dB,增益大于15.6dB,IIP3优于+1.55dBm,在1.8V单电源供电条件下功耗仅为16.2mW。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 噪声抵消 电流复用 输入匹配 |
Design of a CMOS Wideband LNA Using Noise Canceling Technique |
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| QI Kai.Design of a CMOS Wideband LNA Using Noise Canceling Technique[J].Microelectronics,2012,42(5):622-626. |
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| Authors: | QI Kai |
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| Affiliation: | QI Kai(Science College,Air Force Engineering University,Xi′an 710051,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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