| 低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计 |
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| 引用本文： | 陈力,冯全源.低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计[J].微电子学,2012,42(5):725-728,732. |
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| 作者姓名： | 陈力 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学微电子研究所,成都,610031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大项目，国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了低压沟槽功率MOSFET(<100V)在不同耐压下导通电阻最优化设计的差别。给出了确定不同耐压MOSFET参数的方法,简要分析了沟槽MOSFET的导通电阻;利用Sentaurus软件对器件的电性能进行模拟仿真。理论和仿真结果均表明,耐压高的沟槽MOSFET的导通电阻比耐压低的沟槽MOSFET更接近理想导通电阻,并且,最优导通电阻和最优沟槽宽度随着耐压的提高而逐渐增大。
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| 关 键 词： | 功率器件 MOSFET 沟槽 击穿电压 导通电阻 |
Optimal Design of On-Resistance for Low Voltage Trench Power MOSFET |
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| CHEN Li
,
FENG Quanyuan.Optimal Design of On-Resistance for Low Voltage Trench Power MOSFET[J].Microelectronics,2012,42(5):725-728,732. |
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| Authors: | CHEN Li FENG Quanyuan |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronics,Southwest Jiaotong University,Chengdu 610031,P.R.China) |
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