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一种低相位噪声CMOS晶体振荡器的设计
引用本文:杨骁,齐骋,王亮,凌朝东.一种低相位噪声CMOS晶体振荡器的设计[J].微电子学,2012,42(5):642-645,650.
作者姓名:杨骁  齐骋  王亮  凌朝东
作者单位:华侨大学信息科学与工程学院,福建厦门361021;厦门市ASIC与系统重点实验室,福建厦门361008
基金项目:福建省自然科学基金资助项目,厦门市科技计划项目,中央高校基本科研业务费资助项目
摘    要:运用小信号等效模型和负阻分析法,对晶体振荡器的起振条件进行分析,并用Matlab进行了仿真验证。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于Pierce三点式振荡器结构的14MHz晶体振荡电路。提出了一种新的幅度控制电路,提高了振荡器相位噪声性能,并降低了功耗。仿真结果表明,振荡器的相位噪声达到-129.5dBc/Hz@1kHz和-143.658dBc/Hz@10kHz,具有优良的低相位噪声特性。

关 键 词:晶体振荡器  幅度控制  相位噪声  起振时间

Design of a Low Phase-Noise CMOS Crystal Oscillator
YANG Xiao , QI Cheng , WANG Liang , LING Chaodong.Design of a Low Phase-Noise CMOS Crystal Oscillator[J].Microelectronics,2012,42(5):642-645,650.
Authors:YANG Xiao  QI Cheng  WANG Liang  LING Chaodong
Affiliation:(College of Information Science and Engineering,Huaqiao University,Xiamen,Fujian 361021,P.R.China; Key Laboratory of ASIC and System of Xiamen,Xiamen,Fujian 361008,P.R.China)
Abstract:
Keywords:
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