| C-H体系CVD金刚石薄膜 |
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| 引用本文： | 张剑云,王鹏飞,丁士进,张卫,王季陶,刘志杰. C-H体系CVD金刚石薄膜[J]. 微细加工技术, 2000, 0(3): 75-78 |
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| 作者姓名： | 张剑云 王鹏飞 丁士进 张卫 王季陶 刘志杰 |
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| 作者单位： | 1. 复旦大学电子工程系CVD研究室上海 200433
2. Physikalische Chemie I , University of Bielefeld, Germany |
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| 基金项目： | 本文得到"863”高技术基金(863-715-010-0050)、国家自然科学基金(59772029)、教育部专项基金和科技部基础科技基金的支持. |
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| 摘 要： | 化学气相淀积金刚石薄膜过程中,ＣＨ３和Ｃ２Ｈ２是金刚石生长的主要前驱基团。Ｃ２Ｈ２与ＣＨ３浓度比（［Ｃ２Ｈ２］／［ＣＨ３］）的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型设计了Ｃ－Ｈ体系ＣＶＤ金刚石薄膜生长过程中Ｃ２Ｈ２浓度和ＣＨ３浓度随淀积条件的变化,并进一步获得了［Ｃ２Ｈ２］／［ＣＨ３］随衬底温度和ＣＨ４浓度的变化关系,从理论上探讨了金刚石薄膜（１１１）面和（１００）面取向生长与淀积
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| 关 键 词： | 化学气相淀积 金刚石薄膜 热力学 取向生长 |
| 文章编号： | 1003-8213(2000)03-0075-05 |
| 修稿时间： | 1999-11-16 |
Thermodynamic Analyses on Orientation Growth of CVD Diamond Film in C-H System |
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