| 半导体二次电子像中的掺杂衬度 |
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| 引用本文： | 陈文雄,徐军. 半导体二次电子像中的掺杂衬度[J]. 电子显微学报, 2002, 21(4): 406-410 |
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| 作者姓名： | 陈文雄 徐军 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院电镜室,北京,100871 |
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| 摘 要： | 本文详细评述和介绍了近几年来国际上关于扫描电镜二次电子像中的掺杂衬度方面的实验和理论研究成果，总结了实验中发现的各种现象，并用电离能的观点对所有这些现象作出了理论上的解释，并指出了这种技术的应用前景。
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| 关 键 词： | 半导体 二次电子像 掺杂衬度 功函数 电离能 扫描电子显微镜 表面形貌 |
| 文章编号： | 1000-6281(2002)04-0406-05 |
| 修稿时间： | 2002-02-26 |
Secondary electron dopant contrast in semiconductors |
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| CHEN Wen xiong,XU Jun. Secondary electron dopant contrast in semiconductors[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2002, 21(4): 406-410 |
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| Authors: | CHEN Wen xiong XU Jun |
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| Abstract: | In this paper, we reviewed the experimental and theoretical research work on secondary electron dopant contrast in semiconductors in detail, which has been carried out in recent years mainly by two groups of Oxford and Cambridge University, UK, summarized the phenomena discovered in experiments and their interpretation in the view point of ionization energy, and pointed out their application prospects. |
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| Keywords: | dopant contrast work function ionization energy |
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