| 表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响 |
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| 引用本文： | 汤英文,朱龙源,游达,许金通,刘诗嘉,庄春泉,李向阳,龚海梅.表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响[J].半导体光电,2007,28(1):72-75. |
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| 作者姓名： | 汤英文 朱龙源 游达 许金通 刘诗嘉 庄春泉 李向阳 龚海梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 采用微波光电导衰退法(μ-PCD)测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命.利用俄歇电子能谱(AES)研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化.结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命,采用此工艺制作的光导器件的信号、响应率、D·优于常规方法制作的器件.
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| 关 键 词： | HgCdTe 阳极氧化 微波光电导衰退法 俄歇电子能谱 光导型探测器 |
| 文章编号： | 1001-5868(2007)01-0072-04 |
| 修稿时间： | 2006-05-18 |
Influence of Second Anodization on Characteristics of HgCdTe Photoconductive Detectors |
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| TANG Ying-wen,ZHU Long-yuan,YOU Da,XU Jin-tong,LIU Shi-jia,ZHUANG Chun-quan,LI Xiang-yang,GONG Hai-mei.Influence of Second Anodization on Characteristics of HgCdTe Photoconductive Detectors[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(1):72-75. |
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| Authors: | TANG Ying-wen ZHU Long-yuan YOU Da XU Jin-tong LIU Shi-jia ZHUANG Chun-quan LI Xiang-yang GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083 ,CHN |
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