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| MOSFET表面1/f噪声的研究 | |
| 引用本文： | 庄奕琪,孙青.MOSFET表面1/f噪声的研究[J].电子学报,1988(2). |
| 作者姓名： | 庄奕琪 孙青 |
| 作者单位： | 西北电讯工程学院 (庄奕琪)，西北电讯工程学院(孙青) |
| 摘 要： | 本文从表面载流子数涨落机构出发,对MOSFET的1/f噪声性质作了较全面的理论和实验研究。将MOSFET的表面1/f噪声理论推广到了所有的偏置区,包括沟道均匀区,线性区和饱和区。对MOSFET的等效输入噪声电压的频率特性、偏置特性和几何特性等进行了实验测试,结果表明与理论规律符合良好。 |
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