| 蓝宝石基片的单面研磨工艺研究 |
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| 引用本文： | 潘继生,郑坤,廖博涛,阎秋生. 蓝宝石基片的单面研磨工艺研究[J]. 现代制造工程, 2019, 0(6): 89-95 |
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| 作者姓名： | 潘继生 郑坤 廖博涛 阎秋生 |
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| 作者单位： | 广东工业大学机电工程学院,广州,510006;广东工业大学机电工程学院,广州,510006;广东工业大学机电工程学院,广州,510006;广东工业大学机电工程学院,广州,510006 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;广东省自然科学基金重点项目;广东省科技计划 |
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| 摘 要： | 为了实现蓝宝石基片的快速平坦化,对蓝宝石基片进行系统的单因素单面研磨试验,研究了磨料种类、磨料粒径、研磨盘转速、研磨压力以及磨料质量分数等研磨工艺参数对蓝宝石基片材料去除率和表面粗糙度的影响规律.试验结果表明:金刚石磨料适合蓝宝石基片的单面研磨;随着磨料粒径的增大,材料去除率逐渐增大,表面越来越粗糙;随着研磨盘转速的增大,材料去除率先增大后减小,表面粗糙度值在20~60 r/min区间变化不大,稳定在Ra 0.12~Ra 0.13μm之间,而在60~100 r/min区间波动较大,当研磨盘转速为60 r/min时,材料去除率最大;随着研磨压力的增大,材料去除率逐渐增大,而表面粗糙度值越来越低;随着磨料质量分数的增大,材料去除率先增大后减小,表面粗糙度先增大然后趋于平缓,当磨料质量分数为3 wt%时,材料去除率最大,且表面粗糙度值相对较小;最后通过正交试验优化了工艺参数,在优化的工艺条件下依次选用粒径为W40、W14、W3的金刚石磨料对蓝宝石基片进行粗研、半精研及精研,取得了表面粗糙度为Ra 7.9 nm的平坦表面.
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| 关 键 词： | 蓝宝石基片 单面研磨 材料去除率 表面粗糙度 |
Research on the single-sided lapping parameters of sapphire substrate |
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| Pan Jisheng,Zheng Kun,Liao Botao,Yan Qiusheng. Research on the single-sided lapping parameters of sapphire substrate[J]. Modern Manufacturing Engineering, 2019, 0(6): 89-95 |
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| Authors: | Pan Jisheng Zheng Kun Liao Botao Yan Qiusheng |
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| Affiliation: | (Faculty of Electromechanical Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006 ,China) |
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| Abstract: | Pan Jisheng;Zheng Kun;Liao Botao;Yan Qiusheng(Faculty of Electromechanical Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006 ,China) |
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| Keywords: | sapphire substrate single-sided lapping Material Removal Rate( MRR) surface roughness |
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